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Kingston 99U5469-029.A00LF 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
比较
Kingston 99U5469-029.A00LF 4GB vs Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
总分
Kingston 99U5469-029.A00LF 4GB
总分
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-029.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.5
11.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-029.A00LF 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
44
读取速度,GB/s
11.2
11.5
写入速度,GB/s
8.1
7.7
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1875
1927
Kingston 99U5469-029.A00LF 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
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