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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
12.8
16.0
写入速度,GB/s
8.3
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
3313
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-2GBPQ 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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