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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Kingston 9905701-098.A00G 16GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
42
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
24
读取速度,GB/s
12.8
16.1
写入速度,GB/s
8.3
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
2976
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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