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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
11.8
14.6
写入速度,GB/s
7.3
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2073
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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