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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
42
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
32
读取速度,GB/s
12.8
15.9
写入速度,GB/s
8.3
10.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
2733
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
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Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
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