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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9965669-027.A00G 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
44
读取速度,GB/s
17.6
12.5
写入速度,GB/s
12.0
9.7
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2452
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
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