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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
56
左右 27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
56
读取速度,GB/s
14.0
18.7
写入速度,GB/s
9.2
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
2235
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
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