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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
总分
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
12.8
14.9
写入速度,GB/s
8.3
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2095
2589
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
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