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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
比较
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
总分
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
12.7
17.6
写入速度,GB/s
7.5
13.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2039
3336
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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