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Kingston KF552C40-16 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
比较
Kingston KF552C40-16 16GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
总分
Kingston KF552C40-16 16GB
总分
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KF552C40-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
15.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KF552C40-16 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
31
读取速度,GB/s
15.5
15.7
写入速度,GB/s
13.2
9.5
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3343
2713
Kingston KF552C40-16 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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