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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8,883.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
14,740.4
14.7
写入速度,GB/s
8,883.4
8.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2498
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
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