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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
比较
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
总分
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
77
左右 47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
77
读取速度,GB/s
12.7
13.1
写入速度,GB/s
7.5
5.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2039
1440
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
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