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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
比较
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Kingston 9905625-098.A00G 16GB
总分
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
12.7
15.3
写入速度,GB/s
7.5
9.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2039
2591
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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