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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
11.2
17.0
写入速度,GB/s
8.1
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3781
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
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