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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
比较
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
总分
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
12.7
14.0
写入速度,GB/s
7.5
7.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2039
2663
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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