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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14200
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
13.9
17.8
写入速度,GB/s
9.6
15.9
内存带宽,mbps
14200
17000
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
3773
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
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