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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
比较
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
总分
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
12.7
9.8
写入速度,GB/s
7.5
7.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2039
2220
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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