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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
比较
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
总分
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
12.7
14.3
写入速度,GB/s
7.5
10.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2039
2464
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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