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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
87
左右 -156% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
34
读取速度,GB/s
3,155.6
17.1
写入速度,GB/s
870.4
13.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3472
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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