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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
总分
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
差异
规格
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Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
12.8
17.5
写入速度,GB/s
8.1
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2123
3537
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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