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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
总分
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
55
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
55
读取速度,GB/s
12.8
21.0
写入速度,GB/s
8.1
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2123
2457
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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