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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Panram International Corporation M424051 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
97
左右 55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation M424051 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.2
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
97
读取速度,GB/s
10.9
11.2
写入速度,GB/s
7.5
5.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
1270
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
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