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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
比较
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
总分
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
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Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
40
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
32
读取速度,GB/s
12.7
15.6
写入速度,GB/s
7.5
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2201
2900
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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