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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
比较
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
总分
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
总分
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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规格
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Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
13.3
15.4
写入速度,GB/s
8.6
10.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2815
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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