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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905624-023.A00G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.8
14.5
写入速度,GB/s
8.4
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2707
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
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