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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
比较
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
总分
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
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SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
13.3
14.1
写入速度,GB/s
8.6
9.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2450
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
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