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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
13.8
18.5
写入速度,GB/s
7.8
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
3356
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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