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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
13.8
17.8
写入速度,GB/s
7.8
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
3337
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
INTENSO M418039 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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