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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
13.8
18.9
写入速度,GB/s
7.8
16.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
3866
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO 5641152 4GB
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