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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
92
左右 -241% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
27
读取速度,GB/s
2,105.4
18.1
写入速度,GB/s
1,266.1
14.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3446
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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