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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
11.8
16.4
写入速度,GB/s
8.0
13.1
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3310
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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