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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
13.8
15.5
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2924
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
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