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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
13.8
16.6
写入速度,GB/s
7.8
8.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2631
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
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