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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
39
读取速度,GB/s
13.8
13.7
写入速度,GB/s
7.8
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2364
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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