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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
55
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
55
读取速度,GB/s
2,614.5
19.5
写入速度,GB/s
1,145.9
8.8
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2274
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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