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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
54
读取速度,GB/s
13.8
10.4
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2259
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
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