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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
51
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
51
读取速度,GB/s
13.8
9.6
写入速度,GB/s
7.8
7.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2248
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX3M2B1600C9 8GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
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