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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
38
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
35
读取速度,GB/s
7.2
15.5
写入速度,GB/s
3.0
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2848
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM的比较
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMSX16GX3M2B1600C9 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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