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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
13.8
16.8
写入速度,GB/s
7.8
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
3147
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB RAM的比较
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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