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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

总分
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

总分
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SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 35
    左右 29% 更低的延时
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 13.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.7 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    13.8 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 12.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1995 left arrow 3127

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
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内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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内存RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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