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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比较
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
总分
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.0
17.3
写入速度,GB/s
9.5
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2030
3299
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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