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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
比较
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
总分
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
13.0
17.1
写入速度,GB/s
9.5
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2030
3237
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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