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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
14,740.4
18.2
写入速度,GB/s
8,883.4
15.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3498
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 9905599-026.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
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