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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
比较
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
总分
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
13.0
19.8
写入速度,GB/s
9.5
18.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2030
4128
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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