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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.7
14.9
写入速度,GB/s
7.5
10.6
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2196
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
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Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
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