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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
26
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
21
读取速度,GB/s
12.8
17.7
写入速度,GB/s
9.0
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2833
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
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Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
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