RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
26
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2833
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link