RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
26
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
21
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2833
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link