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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
比较
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
总分
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
50
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
50
读取速度,GB/s
12.6
13.5
写入速度,GB/s
6.8
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1954
2424
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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