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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
比较
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
总分
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
12.6
16.6
写入速度,GB/s
6.8
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1954
2893
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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